隨著納米技術的發(fā)展，納米顆粒在各類產品和工藝中得到了廣泛應用，人們對納米顆粒的表征要求也越來越高。
針對各類產品和工藝，人們制造且應用了不同成分的納米顆粒，如油漆、材料的強化、半導體工藝中的精細拋光，以及對藥品和食品的除濕，防止其受潮。二氧化硅（SiO2）納米顆粒是日本第二大國產納米材料，僅次于炭黑。1
使用ICP-MS測量硅（Si）富有挑戰(zhàn)性。等離子體中形成的14N2+和12C16O+多原子離子，與豐度最高的Si同位素(28Si ≈ 92 %豐度)的m/z相同。因此，當多原子離子未被去除時(標準模式下)，m/z 28處的背景等效濃度非常高。它抑制了低水平Si的測定，讓SiO2納米顆粒的檢測變得更加困難。此外，Si的電離勢相對較高，其電離也更具挑戰(zhàn)性，導致其強度低于其它易電離的元素，如Na。
然而，如果能提高信背比(S/B)，就有可能檢測到更小的SiO2納米顆粒。在之前的應用報告中，2我們介紹過100 nm SiO2納米顆粒標準品可以使用SP-ICP-MS進行分析，且無需去除干擾(標準模式下)。然而，如果能在反應模式下去除干擾，預期能精準測量更小的SiO2納米顆粒。
本工作將討論在反應模式下，通過SP-ICP-MS檢測、測量和表征SiO2納米顆粒的能力。
實驗
1 樣品制備
已知的50 nm SiO2納米顆粒標準品，NanoXact™，購自nanoComposix™(美國加州圣地亞哥)。
• 通過透射電子顯微鏡(TEM)測定，尺寸確認為50±3 nm。
• 樣品制備過程包括用超聲波對溶液進行處理，時長兩分鐘，以粉碎團化顆粒，然后用去離子水稀釋，得到最終濃度為約100,000個顆粒/mL的溶液。
• 分析前，對得到的溶液再次進行超聲處理。使用1000 mg/L的溶解硅標準溶液連續(xù)稀釋，得到了溶解校準曲線。
• 溶解標準品的硅濃度分別為0、5和10 μg/L Si。
為了測定納米顆粒的傳輸效率(TE)，我們使用了濃度為50,000個顆粒/毫升的50 nm金納米顆粒(來自珀金埃爾默，部件編號：N8151035)。本研究測定的TE為8.9 %。
2 分析和儀器參數
我們在配置了通用池技術的珀金埃爾默NexION® 系列 ICP-MS上展開以下分析，使用ICP-MS軟件的Syngistix™納米應用模塊。
在標準模式下納米顆粒的分析結果中，得知了最佳反應池氣體、反應池氣體流量和射頻功率。駐留時間設置為50微秒，因為據報道在小于100微秒時可以更準確地測量顆粒的直徑和濃度。3標準模式下的儀器參數，如表1所示，納米模式的儀器參數見表2。
表1.NexION 系列 ICP-MS儀器參數——非納米模式
表2.NexION 系列 ICP-MS儀器參數——納米模式
結果與討論
由于多原子離子14N2+和12C16O+存在于m/z 28，所以使用ICP-MS測量硅(Si)富有挑戰(zhàn)性。目前，有兩種技術可以消除干擾：
• 一是使用氦氣(He)的碰撞池技術；
• 二是使用反應氣體的反應池技術。
碰撞池技術利用了氦氣的碰撞，在出口建立能量壘，在分析離子與干擾離子之間生成了能量差，以達到消除干擾離子的目的。而反應池技術則利用分析物和干擾物同氣體之間反應力的不同，來消除干擾。出于以上原因，碰撞池技術中分析物離子強度會大幅降低，而反應池技術保證了分析物離子的強度。由于納米顆粒產生的信號強度小，因此，反應池技術才是去除多原子離子的首選技術。
本研究對不同反應氣體在反應模式下的表現做出了評價：包括NH3、H2+Ar(9:1)以及H2。圖1顯示了在m/z 28下，反應池氣體流量、空白和50 ppb Si的信號強度、和背景等效濃度(BEC)的關系。這三種反應池氣體都可以減少多原子干擾，進而改善BEC。盡管三種氣體的Si BEC相似，但NH3的Si強度明顯低于其他氣體。
圖1.反應池氣體流速vs信號強度，以及在m/z 28時 NH3、H2+Ar (9:1)和H2的BEC(點擊查看大圖)
我們可以通過觀察化學反應式來解釋上述結果。4以下是與氨氣的反應：
雖然氨氣與干擾物的反應比Si+快，提高了BEC，但Si+也會與氨氣發(fā)生反應，所以強度會降低。
以下是與氫氣的反應：
• 氫氣與干擾物的反應速率與氨氣相同，但因為它不與Si+反應，所以比起氨氣，使用氫氣時Si+的靈敏度更高。因此，氫氣是一種更有效的反應氣體。
• H2/Ar混合物氣體的效果不如純氫氣，是由于Si+和Ar之間的碰撞導致了散射損失，且Ar的物理尺寸比Si+大得多。
在SP-ICP-MS分析中，首先建立Si校準曲線，然后對SiO2納米顆粒樣品進行三次測量。得到的SiO2納米顆粒粒徑柱狀圖如圖2所示，x軸表示粒徑，y軸表示測得顆粒數。該柱狀圖呈對稱式粒徑分布，以49 nm為中心。
圖2.使用SP-ICP-MS分析50 nm SiO2納米顆粒的粒徑分布柱狀圖(點擊查看大圖)
從表3可以看出，測得粒徑與認證值一致，說明SP-ICP-MS能夠準確測量50 nm SiO2納米顆粒。
表3.使用SP-ICP-MS分析50 nm SiO2納米顆粒的粒徑和濃度
*通過透射電子顯微鏡檢測得出(點擊查看大圖)
結論
本實驗證明了SP-ICP-MS在反應模式下測量SiO2納米顆粒的能力。在較短的駐留時間(< 100 µs)和反應模式下，NexION 系列 ICP-MS單顆粒分析儀可以在保持分析物強度、降低干擾的同時，準確測量50 nm SiO2納米顆粒。
所用耗材
參考文獻
1. 2017 Nanomaterial Information Sheet, Changes in Nanomaterial Production Volume, METI Web Site (2018)
2. "Analysis of SiO2 Nanoparticles in Standard Mode with Single Particle ICP-MS”, PerkinElmer Application Note, 2015.
3. Hineman et al., "Effect of Dwell Time on Single Particle Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry Data Acquisition Quality" (J. Anal. At. Spectrom., 2014).
4. Anicich, VG. "An Index of the Literature for Bimolecular Gas Phase Cation-Molecule Reaction Kinetics”, Jet Propulsion Laboratory, 2003.
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