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Talos 透射電鏡

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更新時(shí)間:2025-07-18 10:10:28瀏覽次數(shù):48

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產(chǎn)品簡介

Talos的材料科學(xué)應(yīng)用 Talos可以在多個(gè)維度開展快速、精確、量化的材料表征分析,而且配備了全新的軟件功能,能夠改善成像效果和易用性

詳細(xì)介紹

Talos 的材料科學(xué)應(yīng)用

Talos 可以在多個(gè)維度開展快速、精確、量化的材料表征分析,而且配備了全新的軟件功能,能夠改善成像效果和易用性。Talos 將出眾的高分辨率 S/TEM 和 TEM 成像與行業(yè)的 EDS 性能(包括無二的 EDS 斷層掃描技術(shù))融為一體,能夠以二維圖像和三維容積的形式提供結(jié)構(gòu)信息。創(chuàng)新的新軟件拓寬了可以分析的材料范圍,同時(shí)全新的 Ceta 16M 攝像頭可迅速從大視場切換到原子級別。全新的壓電工作臺可確保實(shí)現(xiàn)無漂移成像和精確導(dǎo)航。而且,Talos 還預(yù)留了配件接口,可以配備特定于應(yīng)用的原位樣本支架以開展動態(tài)實(shí)驗(yàn)。


技術(shù)參數(shù):

1、分辨率

點(diǎn)分辨率:≤0.25nm

線分辨率:≤0.14nm

信息分辨率:≤0.12nm

2、加速電壓

加速電壓:20kV-200kV;加速電壓連續(xù)可調(diào)

加速電壓全程范圍內(nèi)切換僅需通過軟件完成

加速電壓穩(wěn)定0.8ppm/10min加速電壓

3、束流和束斑

總的電子束束流:> 50nA

束流 / 束斑尺寸≥2nA @ 1nm, ≥ 0.4nA @ 0.31nm (all @ 200 kV)束斑漂移:< 1nm>

4、放大系統(tǒng)

TEM 放大范圍:25×–1.50M (需使用相機(jī)圖像增強(qiáng))

放大倍數(shù)重復(fù)性:<>

5、電子衍射

會聚角 (CBED) 100mrad

衍射角:24°

6、樣品臺

CompuStage樣品臺可存儲和復(fù)位5(x, y, z, a, b) 坐標(biāo)

樣品移動范圍:X, Y ± 1mm;最小移動步長 4 nm; Z: ±0.375 mm, 最小移動步長 36 nm, 樣品臺

回復(fù)精度 £ 0.5mm (xy), £ 0.5° (a tilt)

7、掃描透射(STEM)

分辨率:≤0.16 nm

探頭:高角環(huán)形暗場探頭(HAADF

智能掃描技術(shù)DCFI (Drift Corrected Frame Integration)可獲得更好的STEM照片

HRTEMHRSTEM之間切換后穩(wěn)定時(shí)間短,僅需點(diǎn)擊鼠標(biāo)即可在TEMSTEM模式間相互切換,可在

幾秒種之內(nèi)完成。

STEM放大倍數(shù)范圍150x - 230Mx

STEM、CCDEDS,同時(shí)采集數(shù)據(jù)功能和能譜分析功能,實(shí)現(xiàn)多維快速化學(xué)分析和成像??刂栖浖?/span>

有可進(jìn)行在線或后續(xù)的離線分析,實(shí)現(xiàn)在同一點(diǎn)的多種模式或手段的綜合分析。



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