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詳細(xì)介紹
掃描電子顯微鏡，半導(dǎo)體sem顯微鏡的作用：
由于半導(dǎo)體器件體積小、重量輕、壽命長、功率損耗小、機(jī)械性能好. 因而適用的范閘極廣。然而半導(dǎo)體器件的性能和穩(wěn)定性在很大程度上受它表面的微觀狀態(tài)的影響。
1.質(zhì)量監(jiān)控與工藝診斷
2. 器件分析
3.失效分析和可靠性研究
4.電子材料研制分析
5. 這對(duì)檢測(cè)和研制真空微電子二極管是極其有用的。
6.可控制中子輻射損傷和選用合適的退火工藝消除內(nèi)部缺陷，提高 NTD 硅單晶質(zhì)量。
7.半導(dǎo)體材料中的動(dòng)力學(xué)現(xiàn)象
掃描電子顯微鏡，半導(dǎo)體sem顯微鏡的性能：
放大倍數(shù)：60000x /150000x
加速電壓：500V - 15kV
電子源:預(yù)對(duì)中鎢燈絲
聚光鏡:兩級(jí)電磁變焦聚光鏡
樣品臺(tái):X-Y兩軸自動(dòng)樣品臺(tái)
樣品臺(tái)移動(dòng)范圍:30mm×30mm
標(biāo)準(zhǔn)配置：
背散射電子探測(cè)器
二次電極探測(cè)器
CCD光學(xué)導(dǎo)航
由于半導(dǎo)體器件體積小、重量輕、壽命長、功率損耗小、機(jī)械性能好. 因而適用的范閘極廣。然而半導(dǎo)體器件的性能和穩(wěn)定性在很大程度上受它表面的微觀狀態(tài)的影響。
1.質(zhì)量監(jiān)控與工藝診斷
2. 器件分析
3.失效分析和可靠性研究
4.電子材料研制分析
5. 這對(duì)檢測(cè)和研制真空微電子二極管是極其有用的。
6.可控制中子輻射損傷和選用合適的退火工藝消除內(nèi)部缺陷，提高 NTD 硅單晶質(zhì)量。
7.半導(dǎo)體材料中的動(dòng)力學(xué)現(xiàn)象
掃描電子顯微鏡，半導(dǎo)體sem顯微鏡的性能：
放大倍數(shù)：60000x /150000x
加速電壓：500V - 15kV
電子源:預(yù)對(duì)中鎢燈絲
聚光鏡:兩級(jí)電磁變焦聚光鏡
樣品臺(tái):X-Y兩軸自動(dòng)樣品臺(tái)
樣品臺(tái)移動(dòng)范圍:30mm×30mm
標(biāo)準(zhǔn)配置：
背散射電子探測(cè)器
二次電極探測(cè)器
CCD光學(xué)導(dǎo)航
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