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更新時間:2023-02-15 09:36:20瀏覽次數:400次
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多晶硅、單晶硅微波、紅外復合專用烘干生產線
多晶硅、單晶硅微波、紅外復合專用烘干生產線
一、 工藝設備要求
1.1物料特性:
干燥物料名稱:多晶硅料。
物料形狀:1mm-8mm、8mm-50mm、50mm-150mm 三種規(guī)格,不規(guī)則形狀。
含水率:硅料表面水分,小顆粒的為經過甩干后的水分。
1.2干燥原理及控制點
采用干燥原理:連續(xù)式,微波溫控干燥。
微波精度控制:≤1%。
溫度控制點:多點控溫,烘干過程中硅料溫度≤120℃。
傳動系統(tǒng):PTFE特氟龍高溫布,可變頻調速。
輸送帶回程清理:帶自動電動毛刷清掃裝置。
微波泄漏量:≤2mW/cm2,測量方法按GB 5959.6-2008中規(guī)定執(zhí)行。
1.3 生產能力
設計生產能力250KG/h,24h連續(xù)流水式作業(yè),烘干后需加冷卻降溫到40℃。
設備配置與功能
設計總功率120kw,微波功率90kw,紅外功率90kw,循環(huán)冷卻水流量約14m3/h,排風量3600m3/h。
設備長16.75m,寬1.4m,高2.2m。
操作柜與微波電源柜同側布置,操作柜靠近上料端,從操作臺處面對設備,設備為右進左出。
設備主體:
設備主體由布料系統(tǒng)、微波抑制器(首尾各一個)、微波腔體、微波發(fā)生器、傳送裝置、排濕冷卻系統(tǒng)、下料冷卻系統(tǒng)組成。
設備機架整體采用304不銹鋼材料制作,微波腔體采用316L不銹鋼。
微波腔體長9m、寬1.5m、高0.48m。
布料系統(tǒng):
采用料倉加直線篩給料裝置結合,料倉容積0.15立方。料倉內壁等與硅料接觸的部分,使用高純PU材質內襯,出口處PU內襯需突出殼體30mm以上,防止物料污染。
設備廠家提供合理的上料方式,上料高度與地面距離不超過1100mm,料斗高度根據系統(tǒng)合理設計,布料系統(tǒng)采用下圖所示方式:
內蒙古多晶硅生產現(xiàn)場
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